晶圓級(jí)可靠性測(cè)試系統(tǒng)(CWBS1000)

該系統(tǒng)適用于6/8寸晶圓級(jí)器件的可控高溫的帶電可靠性測(cè)試，基于JEDEC可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)；提供高精度高電壓輸出，保存并且長(zhǎng)期記錄高精度電流，可控溫度等參數(shù)，并根據(jù)記錄測(cè)試數(shù)據(jù)，導(dǎo)出實(shí)驗(yàn)表格及MAP圖多格式選擇。

功能

定制化高溫調(diào)節(jié)半自動(dòng)探針臺(tái)，支持≤5片晶圓同時(shí)老化測(cè)試
支持每個(gè)晶圓Die獨(dú)立保護(hù)功能，對(duì)過(guò)流過(guò)壓進(jìn)行越限控制
支持氮?dú)獗Ｗo(hù)防止晶圓氧化,充氣時(shí)支持過(guò)壓保護(hù)
支持更換老化板或探針卡不同封裝器件進(jìn)行測(cè)試
支持晶圓安裝觸點(diǎn)到位檢測(cè)，支持實(shí)時(shí)溫度、壓力檢測(cè)
支持HTGB,HTRB等老化測(cè)試功能，Vth/Ids/Igs等參數(shù)的自動(dòng)測(cè)試和數(shù)據(jù)分析
支持內(nèi)置晶圓布局MAP配置,數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)展示和歷史數(shù)據(jù)的查詢(xún)
支持接入集控站(智慧護(hù)芯云)系統(tǒng),定制化與MES系統(tǒng)對(duì)接

產(chǎn)品特性

試驗(yàn)溫區(qū)	1(定制支持<5)
試驗(yàn)溫度	室溫~200°C
適用產(chǎn)品	GaN/SiC等6寸和8寸晶圓wafer
多工位并行試驗(yàn)	1(定制支持<5)
溫度過(guò)沖	<2°C
柵極電壓范圍(精度)	±60V(0.1%+10mV)
柵極電流范圍(精度)	HTGB: 0.1nA~1uA(1%±100pA) Vth: 0~20mA(0.1%±20uA)
源極電壓范圍(精度)	50~2000V(0.5%*Vmax±1V)
源極電流范圍(精度)	1nA~1mA(1%±5nA)
電壓電流過(guò)沖	HTRB過(guò)沖<2%,HTGB過(guò)沖<200mV
通信方式	TCP網(wǎng)絡(luò)/485串口
操作系統(tǒng)	Windows7及以上系列
MES系統(tǒng)接口	定制對(duì)接第三方系統(tǒng)和數(shù)據(jù)
整機(jī)重量	850Kg
整機(jī)尺寸	2050mm(W)x1400mm(D)x1750mm(H)
單腔體尺寸	1920mm(W)x1250mm(D)x 300mm(H)

適用標(biāo)準(zhǔn)

AEC-Q101 JEP183 IEC60749-23 JESD22-A108F

適用器件

適用于GaN/SiC等晶圓wafer的高溫、高電壓可靠性測(cè)試；Vth、Igs、Ids等參數(shù)功能自動(dòng)測(cè)試和數(shù)據(jù)分析