高溫反偏老化測(cè)試系統(tǒng)(HTRB3100)

該系統(tǒng)可進(jìn)行室溫+10℃~200℃的高溫反偏老化測(cè)試，老化過(guò)程中實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)被測(cè)器件的漏電流狀態(tài)、被測(cè)器件的電壓狀態(tài)，并根據(jù)需要記錄老化試驗(yàn)數(shù)據(jù)，導(dǎo)出試驗(yàn)報(bào)表。

功能

使用熱平臺(tái)加熱方式對(duì)器件進(jìn)行加熱
可實(shí)現(xiàn)每個(gè)器件獨(dú)立加熱平臺(tái)，獨(dú)立控溫
良好的熱傳遞特性，針對(duì)IGBT模塊/分立器件高溫高漏電特性，可實(shí)現(xiàn)175Tj情況下穩(wěn)定的HTRB試驗(yàn)
可定制獨(dú)立保護(hù)功能，實(shí)現(xiàn)單工位超限切斷
充分的實(shí)驗(yàn)員人體安全考慮設(shè)定

產(chǎn)品特性

試驗(yàn)熱平臺(tái)	48個(gè)
試驗(yàn)溫度	室溫+10℃~200℃
試驗(yàn)區(qū)位	8個(gè)
老化電壓范圍	-2000V~+2000V
電壓檢測(cè)精度	±(1%+2LSB)
電流檢測(cè)范圍	10nA~50mA
電流檢測(cè)精度	±(1%+10nA)
整機(jī)供電	三相AC380V±38V
最大功率	24KW (典型)
整機(jī)重量	1600KG (典型)
整機(jī)尺寸	左腔體: 1500mm(W) x 1400mm(D) x 1980mm(H) 右腔體: 1500mm(W) x 1400mm(D) x 1980mm(H) 控制柜: 600mm(W) x 1400mm(D) x 1980mm(H)

適用標(biāo)準(zhǔn)

MIL-STD-750D AQG324

適用器件

適用于MOS管、二極管、三極管、IGBT模塊、PIM模塊、可控硅等